MOSFET LET9045F N-kanálový 9 A 80 V, M250, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
M250
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
108 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-0,5 V, +15 V
Breite
6.09mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
9.91mm
Höhe
3.94mm
Typický výkonový zisk
17.7 dB
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 136,16
Each (In a Tray of 25) (bez DPH)
25
€ 136,16
Each (In a Tray of 25) (bez DPH)
25
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
M250
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
108 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-0,5 V, +15 V
Breite
6.09mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
9.91mm
Höhe
3.94mm
Typický výkonový zisk
17.7 dB
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products