Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Transistor
Maximální stejnosměrný kolektorový proud Idc
3A
Maximální napětí kolektoru Vceo
100V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí báze kolektoru VCBO
100V
Maximální ztrátový výkon Pd
15W
Polarita tranzistoru
NPN
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
10
Maximální základní napětí emitoru VEBO
5V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Maximální přechodová frekvence ft
250MHz
Počet kolíků
3
Maximální provozní teplota
150°C
Šířka
10.1 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Řada
MJD31C
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 753,00
€ 0,301 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 753,00
€ 0,301 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Transistor
Maximální stejnosměrný kolektorový proud Idc
3A
Maximální napětí kolektoru Vceo
100V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí báze kolektoru VCBO
100V
Maximální ztrátový výkon Pd
15W
Polarita tranzistoru
NPN
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
10
Maximální základní napětí emitoru VEBO
5V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Maximální přechodová frekvence ft
250MHz
Počet kolíků
3
Maximální provozní teplota
150°C
Šířka
10.1 mm
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Řada
MJD31C
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


