Tranzistor MJD350T4 PNP 500 mA 300 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Name: Tranzistor MJD350T4 PNP 500 mA 300 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Brand: STMicroelectronics
SKU: 7958385P

Skladové číslo RS: 795-8385PZnačka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: MJD350T4

View all in Bipolární tranzistor

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ tranzistoru

PNP

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

500 mA

Kollektor-Emitter-

300 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální ztrátový výkon

15 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální bázové napětí kolektoru

300 V

Maximální bázové napětí emitoru

3 V

Pinanzahl

Anzahl der Elemente pro Chip

Maximální pracovní teplota

150 °C

Abmessungen

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Podrobnosti o výrobku

Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Tranzistor MJD350T4 PNP 500 mA 300 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Vyberte typ balenia

P.O.A.

Tranzistor MJD350T4 PNP 500 mA 300 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ tranzistoru

PNP

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

500 mA

Kollektor-Emitter-

300 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální ztrátový výkon

15 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální bázové napětí kolektoru

300 V

Maximální bázové napětí emitoru

3 V

Pinanzahl

Anzahl der Elemente pro Chip

Maximální pracovní teplota

150 °C

Abmessungen

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Podrobnosti o výrobku

Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.