Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
RF MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
PD55003L-E
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
14
Režim kanálu
Enhancement
Minimální provozní teplota
150°C
Betriebstemperatur max.
-65°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Länge
5mm
Výška
0.88mm
Normy/schválení
No
Typický výkonový zisk
19dB
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 16 022,76
€ 5,341 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 16 022,76
€ 5,341 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
RF MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
PD55003L-E
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
14
Režim kanálu
Enhancement
Minimální provozní teplota
150°C
Betriebstemperatur max.
-65°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Länge
5mm
Výška
0.88mm
Normy/schválení
No
Typický výkonový zisk
19dB
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.


