MOSFET PD55015-E N-kanálový 5 A 40 V, PowerSO, počet kolíků: 10 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 829-0627Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: PD55015-E
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

PowerSO

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

10

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

73 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

+165 °C

Länge

9.6mm

Breite

9.5mm

Materiál tranzistoru

Si

Typický výkonový zisk

14 dB

Höhe

3.6mm

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics

Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 14,26

Each (bez DPH)

MOSFET PD55015-E N-kanálový 5 A 40 V, PowerSO, počet kolíků: 10 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 14,26

Each (bez DPH)

MOSFET PD55015-E N-kanálový 5 A 40 V, PowerSO, počet kolíků: 10 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

PowerSO

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

10

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

73 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

+165 °C

Länge

9.6mm

Breite

9.5mm

Materiál tranzistoru

Si

Typický výkonový zisk

14 dB

Höhe

3.6mm

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics

Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more