Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Provozní frekvence
1 GHz
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Výkon
15W
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
PowerSO
Řada
LdmoST
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
10
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
65°C
Maximální provozní teplota
165°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Délka
9.6mm
Normy/schválení
JEDEC Approved
Breite
9.5 mm
Výška
3.6mm
Automobilový standard
No
Typický výkonový zisk
14dB
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 16,60
€ 16,60 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
€ 16,60
€ 16,60 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Provozní frekvence
1 GHz
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Výkon
15W
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
PowerSO
Řada
LdmoST
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
10
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
65°C
Maximální provozní teplota
165°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Délka
9.6mm
Normy/schválení
JEDEC Approved
Breite
9.5 mm
Výška
3.6mm
Automobilový standard
No
Typický výkonový zisk
14dB
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.


