MOSFET PD85004 N-kanálový 2 A 40 V, SOT-89, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 880-5355Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: PD85004
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

SOT-89

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.9V

Maximální ztrátový výkon

6 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-0.5 V, +15 V

Breite

2.6mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

4.6mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.44mm

Typický výkonový zisk

17 dB

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics

Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET PD85004 N-kanálový 2 A 40 V, SOT-89, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET PD85004 N-kanálový 2 A 40 V, SOT-89, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

SOT-89

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.9V

Maximální ztrátový výkon

6 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-0.5 V, +15 V

Breite

2.6mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

4.6mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.44mm

Typický výkonový zisk

17 dB

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics

Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more