Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-0.5 V, +15 V
Breite
2.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.6mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.44mm
Typický výkonový zisk
17 dB
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-0.5 V, +15 V
Breite
2.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.6mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.44mm
Typický výkonový zisk
17 dB
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.


