Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
27mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
79.4nC
Maximální ztrátový výkon Pd
385W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
75°C
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
27mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
79.4nC
Maximální ztrátový výkon Pd
385W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
75°C
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China


