Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
29mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
48.6nC
Přímé napětí Vf
2.9V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
10.4 mm
Výška
4.8mm
Länge
15.25mm
Normy/schválení
RoHS, AEC-Q101
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 18,42
€ 18,42 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 18,42
€ 18,42 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 18,42 |
| 10 - 99 | € 16,57 |
| 100+ | € 15,28 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
29mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
48.6nC
Přímé napětí Vf
2.9V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
10.4 mm
Výška
4.8mm
Länge
15.25mm
Normy/schválení
RoHS, AEC-Q101
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China


