Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Typ balení
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
29mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
2.9V
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
48.6nC
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
15.25mm
Normy/schválení
RoHS, AEC-Q101
Breite
10.4 mm
Výška
4.8mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Typ balení
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
29mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
2.9V
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
48.6nC
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
15.25mm
Normy/schválení
RoHS, AEC-Q101
Breite
10.4 mm
Výška
4.8mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China


