Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
29mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
51nC
Maximální ztrátový výkon Pd
313W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-10 to 22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
3V
Maximální provozní teplota
200°C
Normy/schválení
AEC-Q101
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
29mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
51nC
Maximální ztrátový výkon Pd
313W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-10 to 22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
3V
Maximální provozní teplota
200°C
Normy/schválení
AEC-Q101
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China


