Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
63mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
37nC
Maximální ztrátový výkon Pd
224W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.4 mm
Délka
15.25mm
Normy/schválení
RoHS
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
63mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
37nC
Maximální ztrátový výkon Pd
224W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.4 mm
Délka
15.25mm
Normy/schválení
RoHS
Krajina pôvodu
China


