Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonový MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
HU3PAK
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
63mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
37nC
Maximální ztrátový výkon Pd
23W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
14 mm
Délka
18.58mm
Höhe
3.5mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
Japan
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonový MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
HU3PAK
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
63mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
37nC
Maximální ztrátový výkon Pd
23W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
14 mm
Délka
18.58mm
Höhe
3.5mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
Japan


