řada: SiC MOSFETMOSFET SCT20N120H N-kanálový 20 A 1200 V, H2PAK-2, počet kolíků: 3 SiC

Skladové číslo RS: 201-4415Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: SCT20N120H
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

20 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

1200 V

Řada

SiC MOSFET

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

0,203 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

239V

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 10 482,57

€ 10,483 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: SiC MOSFETMOSFET SCT20N120H N-kanálový 20 A 1200 V, H2PAK-2, počet kolíků: 3 SiC

1000

Dostupné v násobkoch 1000
1000€ 10 482,57
2000€ 20 965,14
3000€ 31 447,71
4000€ 41 930,28
5000€ 52 412,85
6000€ 62 895,42
7000€ 73 377,99
8000€ 83 860,56
9000€ 94 343,13
10000€ 104 825,70
11000€ 115 308,27
12000€ 125 790,84
13000€ 136 273,41
14000€ 146 755,98
15000€ 157 238,55

€ 10 482,57

€ 10,483 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: SiC MOSFETMOSFET SCT20N120H N-kanálový 20 A 1200 V, H2PAK-2, počet kolíků: 3 SiC

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

1000

Dostupné v násobkoch 1000
1000€ 10 482,57
2000€ 20 965,14
3000€ 31 447,71
4000€ 41 930,28
5000€ 52 412,85
6000€ 62 895,42
7000€ 73 377,99
8000€ 83 860,56
9000€ 94 343,13
10000€ 104 825,70
11000€ 115 308,27
12000€ 125 790,84
13000€ 136 273,41
14000€ 146 755,98
15000€ 157 238,55

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

20 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

1200 V

Řada

SiC MOSFET

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

0,203 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

239V

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more