řada: SiC MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS: 201-4415Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: SCT20N120H
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

20A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Řada

SiC MOSFET

Typ montáže

Surface

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

203mΩ

Režim kanálu

Enhancement

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur max.

175°C

Šířka

4.7 mm

Výška

10.4mm

Délka

15.8mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

No

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 10 482,57

€ 10,483 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: SiC MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

1000

Dostupné v násobkoch 1000
1000€ 10 482,57
2000€ 20 965,14
3000€ 31 447,71
4000€ 41 930,28
5000€ 52 412,85
6000€ 62 895,42
7000€ 73 377,99
8000€ 83 860,56
9000€ 94 343,13
10000€ 104 825,70
11000€ 115 308,27
12000€ 125 790,84
13000€ 136 273,41
14000€ 146 755,98
15000€ 157 238,55

€ 10 482,57

€ 10,483 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: SiC MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

1000

Dostupné v násobkoch 1000
1000€ 10 482,57
2000€ 20 965,14
3000€ 31 447,71
4000€ 41 930,28
5000€ 52 412,85
6000€ 62 895,42
7000€ 73 377,99
8000€ 83 860,56
9000€ 94 343,13
10000€ 104 825,70
11000€ 115 308,27
12000€ 125 790,84
13000€ 136 273,41
14000€ 146 755,98
15000€ 157 238,55

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

20A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Řada

SiC MOSFET

Typ montáže

Surface

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

203mΩ

Režim kanálu

Enhancement

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur max.

175°C

Šířka

4.7 mm

Výška

10.4mm

Délka

15.8mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

No

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more