Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
20A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
H2PAK-2
Řada
SiC MOSFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
203mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
15.8mm
Výška
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 10 164,29
€ 10,164 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 10 164,29
€ 10,164 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
20A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
H2PAK-2
Řada
SiC MOSFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
203mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
15.8mm
Výška
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
