MOSFET SCT30N120 Typ N-kanálový 45 A 1200 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
45A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
100mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
270W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
105nC
Přímé napětí Vf
3.5V
Betriebstemperatur max.
200°C
Šířka
5.15 mm
Výška
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET s karbidem křemíku (SiC) jsou vybaveny velmi nízkým odporem zdroje statického výboje pro výkon 1 200 V v kombinaci s vynikajícím výkonem přepínání, který se promítá do účinnějších a kompaktnějších systémů.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 96,20
€ 19,24 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 96,20
€ 19,24 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
5
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 5 - 9 | € 19,24 |
| 10 - 24 | € 17,32 |
| 25+ | € 17,21 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
45A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
100mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
270W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
105nC
Přímé napětí Vf
3.5V
Betriebstemperatur max.
200°C
Šířka
5.15 mm
Výška
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET s karbidem křemíku (SiC) jsou vybaveny velmi nízkým odporem zdroje statického výboje pro výkon 1 200 V v kombinaci s vynikajícím výkonem přepínání, který se promítá do účinnějších a kompaktnějších systémů.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products