Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
45A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
100mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
105nC
Maximální ztrátový výkon Pd
270W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
3.5V
Maximální provozní teplota
200°C
Länge
15.75mm
Výška
20.15mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 162,00
€ 16,20 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 162,00
€ 16,20 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
45A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
100mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
105nC
Maximální ztrátový výkon Pd
270W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
3.5V
Maximální provozní teplota
200°C
Länge
15.75mm
Výška
20.15mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
