Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
119A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
Hip-247
Řada
SCTWA90N65G2V-4
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
24mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
656W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
157nC
Přímé napětí Vf
2.5V
Betriebstemperatur max.
200°C
Šířka
21.1 mm
Výška
5.1mm
Délka
15.9mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 829,48
€ 27,649 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 829,48
€ 27,649 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
119A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
Hip-247
Řada
SCTWA90N65G2V-4
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
24mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
656W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
157nC
Přímé napětí Vf
2.5V
Betriebstemperatur max.
200°C
Šířka
21.1 mm
Výška
5.1mm
Délka
15.9mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No


