Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
125 V
Gehäusegröße
M174
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
389 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
24.89mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
26.67mm
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Höhe
4.11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 80,54
€ 80,54 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 80,54
€ 80,54 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 4 | € 80,54 |
| 5 - 9 | € 78,94 |
| 10 - 14 | € 76,51 |
| 15 - 19 | € 75,71 |
| 20+ | € 74,90 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
125 V
Gehäusegröße
M174
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
389 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
24.89mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
26.67mm
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Höhe
4.11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.


