řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2

Skladové číslo RS: 719-637Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: SGT350R70GTK
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

P-Channel

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6A

Maximální napětí na zdroji Vds

700V

Gehäusegröße

TO-252

Řada

G-HEMT

Typ montáže

Surface Mount

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

350mΩ

Režim kanálu

Enhancement

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.5nC

Maximální ztrátový výkon Pd

47W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální pracovní teplota

150°C

Länge

6.2mm

Výška

2.4mm

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1 821,98

€ 0,729 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2

2500

Dostupné v násobkoch 2500
2500€ 1 821,98
5000€ 3 643,96
7500€ 5 465,94
10000€ 7 287,92
12500€ 9 109,90
15000€ 10 931,88
17500€ 12 753,86
20000€ 14 575,84
22500€ 16 397,82
25000€ 18 219,80
27500€ 20 041,78
30000€ 21 863,76
32500€ 23 685,74
35000€ 25 507,72
37500€ 27 329,70

€ 1 821,98

€ 0,729 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

2500

Dostupné v násobkoch 2500
2500€ 1 821,98
5000€ 3 643,96
7500€ 5 465,94
10000€ 7 287,92
12500€ 9 109,90
15000€ 10 931,88
17500€ 12 753,86
20000€ 14 575,84
22500€ 16 397,82
25000€ 18 219,80
27500€ 20 041,78
30000€ 21 863,76
32500€ 23 685,74
35000€ 25 507,72
37500€ 27 329,70

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

P-Channel

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6A

Maximální napětí na zdroji Vds

700V

Gehäusegröße

TO-252

Řada

G-HEMT

Typ montáže

Surface Mount

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

350mΩ

Režim kanálu

Enhancement

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.5nC

Maximální ztrátový výkon Pd

47W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální pracovní teplota

150°C

Länge

6.2mm

Výška

2.4mm

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more