řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2

Skladové číslo RS: 719-638Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: SGT350R70GTK
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

P-Channel

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6A

Maximální napětí na zdroji Vds

700V

Řada

G-HEMT

Gehäusegröße

TO-252

Typ montáže

Surface Mount

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

350mΩ

Režim kanálu

Enhancement

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.5nC

Maximální ztrátový výkon Pd

47W

Maximální pracovní teplota

150°C

Länge

6.2mm

Výška

2.4mm

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,79

€ 0,79 Each (bez DPH)

řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 0,79
2€ 1,58
3€ 2,37
4€ 3,16
5€ 3,95
6€ 4,74
7€ 5,53
8€ 6,32
9€ 7,11
10€ 7,90
11€ 8,69
12€ 9,48
13€ 10,27
14€ 11,06
15€ 11,85

€ 0,79

€ 0,79 Each (bez DPH)

řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 0,79
2€ 1,58
3€ 2,37
4€ 3,16
5€ 3,95
6€ 4,74
7€ 5,53
8€ 6,32
9€ 7,11
10€ 7,90
11€ 8,69
12€ 9,48
13€ 10,27
14€ 11,06
15€ 11,85

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

P-Channel

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6A

Maximální napětí na zdroji Vds

700V

Řada

G-HEMT

Gehäusegröße

TO-252

Typ montáže

Surface Mount

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

350mΩ

Režim kanálu

Enhancement

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.5nC

Maximální ztrátový výkon Pd

47W

Maximální pracovní teplota

150°C

Länge

6.2mm

Výška

2.4mm

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more