řada: STripFET H7 MOSFET STB100N10F7 Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 15,48
€ 3,096 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 15,48
€ 3,096 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,096 | € 15,48 |
| 25 - 45 | € 2,942 | € 14,71 |
| 50 - 120 | € 2,648 | € 13,24 |
| 125 - 245 | € 2,384 | € 11,92 |
| 250+ | € 2,26 | € 11,30 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products