Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-263
Řada
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální pracovní teplota
175°C
Height
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 65,30
€ 2,612 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 65,30
€ 2,612 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
25
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 2,612 | € 13,06 |
| 50 - 120 | € 2,35 | € 11,75 |
| 125 - 245 | € 2,114 | € 10,57 |
| 250+ | € 2,006 | € 10,03 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-263
Řada
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální pracovní teplota
175°C
Height
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


