Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
110nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 027,81
€ 2,028 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 2 027,81
€ 2,028 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
110nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


