Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí MDmesh MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STB11NM80
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.4Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±30 V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
43.6nC
Přímé napětí Vf
0.86V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.37mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 348,00
€ 3,348 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 3 348,00
€ 3,348 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí MDmesh MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STB11NM80
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.4Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±30 V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
43.6nC
Přímé napětí Vf
0.86V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.37mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No


