Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
10.5mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
312W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
172nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 38,30
€ 3,83 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 38,30
€ 3,83 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 24 | € 3,83 | € 7,66 |
| 26 - 98 | € 3,63 | € 7,26 |
| 100 - 498 | € 2,91 | € 5,82 |
| 500+ | € 2,575 | € 5,15 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
10.5mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
312W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
172nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


