Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
75V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET F3
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
310W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 275,55
€ 1,276 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 275,55
€ 1,276 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
75V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET F3
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
310W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


