Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
75V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET F3
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
310W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5,90
€ 1,475 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
4
€ 5,90
€ 1,475 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
4
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
75V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET F3
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
310W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


