Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
75V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.7mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
330W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
85nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.4 mm
Výška
4.6mm
Délka
10.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3,73
€ 3,73 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
1
€ 3,73
€ 3,73 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
75V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.7mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
330W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
85nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.4 mm
Výška
4.6mm
Délka
10.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


