Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Řada
MDmesh DM2
Typ balení
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
290mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
20nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25, +25V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
4.6mm
Länge
9.35mm
Normy/schválení
No
Šířka
10.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 259,38
€ 1,259 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 259,38
€ 1,259 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Řada
MDmesh DM2
Typ balení
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
290mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
20nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25, +25V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
4.6mm
Länge
9.35mm
Normy/schválení
No
Šířka
10.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
