řada: MDmesh DM2 MOSFET STB18N60DM2 Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
290mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Typický náboj brány Qg @ Vgs
20nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
9.35mm
Normy/schválení
No
Výška
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 15,06
€ 3,012 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 15,06
€ 3,012 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,012 | € 15,06 |
| 10 - 95 | € 2,564 | € 12,82 |
| 100 - 495 | € 2,008 | € 10,04 |
| 500+ | € 1,696 | € 8,48 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
290mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Typický náboj brány Qg @ Vgs
20nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
9.35mm
Normy/schválení
No
Výška
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products