řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Řada
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
20nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
9.35mm
Normy/schválení
No
Height
4.6mm
Automotive Standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 298,80
€ 1,299 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 298,80
€ 1,299 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Řada
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
20nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
9.35mm
Normy/schválení
No
Height
4.6mm
Automotive Standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products