Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
13A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Řada
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
280mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
21.5nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Height
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,54
€ 1,708 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,54
€ 1,708 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
13A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Řada
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
280mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
21.5nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Height
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).


