Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Länge
10.75mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45 nC při 10 V
Breite
10.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 9,52
€ 4,76 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
2
€ 9,52
€ 4,76 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Länge
10.75mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45 nC při 10 V
Breite
10.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
4.6mm
Podrobnosti o výrobku


