Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
17A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
MDmesh
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
190mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
10.4 mm
Höhe
4.6mm
Délka
10.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 11,60
€ 5,80 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
2
€ 11,60
€ 5,80 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
17A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
MDmesh
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
190mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
10.4 mm
Höhe
4.6mm
Délka
10.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


