Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
35A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
115W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
40nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Délka
10.4mm
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 579,60
€ 0,58 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 579,60
€ 0,58 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
35A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
115W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
40nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Délka
10.4mm
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


