Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
40A
Maximální napětí na zdroji Vds
200V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
160W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
75nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 960,05
€ 2,96 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 2 960,05
€ 2,96 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
40A
Maximální napětí na zdroji Vds
200V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
160W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
75nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


