Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
14mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
15 V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Höhe
4.6mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 087,45
€ 1,087 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 087,45
€ 1,087 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
14mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
15 V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Höhe
4.6mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


