Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
14mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
15 V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
9.35 mm
Höhe
4.6mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 10,44
€ 2,088 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 10,44
€ 2,088 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,088 | € 10,44 |
| 25 - 45 | € 1,982 | € 9,91 |
| 50 - 120 | € 1,784 | € 8,92 |
| 125 - 245 | € 1,604 | € 8,02 |
| 250+ | € 1,526 | € 7,63 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
14mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
15 V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
9.35 mm
Höhe
4.6mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


