Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
140 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
9.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1 464,00
€ 1,464 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 464,00
€ 1,464 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
140 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
9.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku