Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5.8A
Maximální napětí na zdroji Vds
900V
Typ balení
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
2Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
140W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Breite
9.35 mm
Délka
10.4mm
Výška
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 308,00
€ 1,308 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 308,00
€ 1,308 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5.8A
Maximální napětí na zdroji Vds
900V
Typ balení
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
2Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
140W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Breite
9.35 mm
Délka
10.4mm
Výška
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


