Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Řada
STripFET F3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 mΩ
Channel Mode
Vylepšení
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC při 4,5 V
Länge
10.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Breite
10.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Řada
STripFET F3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 mΩ
Channel Mode
Vylepšení
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC při 4,5 V
Länge
10.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Breite
10.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


