řada: STripFET IIMOSFET STB80NF55L-06T4 N-kanálový 80 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
STripFET II
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Breite
9.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
100 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 920,78
€ 1,921 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 920,78
€ 1,921 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
STripFET II
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Breite
9.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
100 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products