řada: STripFET IIMOSFET STB80NF55L-06T4 N-kanálový 80 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 687-5083Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STB80NF55L-06T4
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

STripFET II

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

100 nC při 5 V

Breite

9.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

4.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 6,45

€ 3,225 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

řada: STripFET IIMOSFET STB80NF55L-06T4 N-kanálový 80 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2€ 6,45
4€ 12,26
6€ 18,39
8€ 24,52
10€ 30,65
12€ 36,78
14€ 42,91
16€ 49,04
18€ 55,17
20€ 61,30
22€ 67,43
24€ 73,56
26€ 79,69
28€ 85,82
30€ 91,95

€ 6,45

€ 3,225 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

řada: STripFET IIMOSFET STB80NF55L-06T4 N-kanálový 80 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2€ 6,45
4€ 12,26
6€ 18,39
8€ 24,52
10€ 30,65
12€ 36,78
14€ 42,91
16€ 49,04
18€ 55,17
20€ 61,30
22€ 67,43
24€ 73,56
26€ 79,69
28€ 85,82
30€ 91,95

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
2 - 2€ 3,225€ 6,45
4+€ 3,065€ 6,13

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

STripFET II

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

100 nC při 5 V

Breite

9.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

4.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more