Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Package Type
TO-263
Řada
STripFET II
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
100nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Height
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 093,48
€ 1,093 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 093,48
€ 1,093 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Package Type
TO-263
Řada
STripFET II
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
100nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Height
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


