řada: STripFET H7MOSFET STD100N10F7 N-kanálový 80 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 786-3592PZnačka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STD100N10F7
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

STripFET H7

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

8 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

120 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.6mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

61 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Breite

6.2mm

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 9,02

€ 1,804 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: STripFET H7MOSFET STD100N10F7 N-kanálový 80 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 9,02
10€ 18,04
15€ 27,06
20€ 36,08
25€ 45,10
30€ 54,12
35€ 63,14
40€ 72,16
45€ 81,18
50€ 90,20
55€ 99,22
60€ 108,24
65€ 117,26
70€ 126,28
75€ 135,30

€ 9,02

€ 1,804 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: STripFET H7MOSFET STD100N10F7 N-kanálový 80 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 9,02
10€ 18,04
15€ 27,06
20€ 36,08
25€ 45,10
30€ 54,12
35€ 63,14
40€ 72,16
45€ 81,18
50€ 90,20
55€ 99,22
60€ 108,24
65€ 117,26
70€ 126,28
75€ 135,30

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

STripFET H7

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

8 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

120 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.6mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

61 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Breite

6.2mm

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more