Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
120W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
6.2 mm
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 9,02
€ 1,804 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,02
€ 1,804 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
120W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
6.2 mm
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


