Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-252
Řada
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
120W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Height
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 9,02
€ 1,804 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
€ 9,02
€ 1,804 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-252
Řada
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
120W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Height
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


