řada: STripFETMOSFET STD10P6F6 P-kanálový 10 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
7.45mm
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
2.38mm
Propustné napětí diody
1.1V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 048,78
€ 0,42 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 048,78
€ 0,42 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
7.45mm
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
2.38mm
Propustné napětí diody
1.1V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products