řada: DeepGate, STripFETMOSFET STD150N3LLH6 N-kanálový 80 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 760-9540Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STD150N3LLH6
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4,9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

110 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

40 nC při 4,5 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

6.6mm

Šířka

6.2mm

Řada

DeepGate, STripFET

Höhe

2.4mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: DeepGate, STripFETMOSFET STD150N3LLH6 N-kanálový 80 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: DeepGate, STripFETMOSFET STD150N3LLH6 N-kanálový 80 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4,9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

110 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

40 nC při 4,5 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

6.6mm

Šířka

6.2mm

Řada

DeepGate, STripFET

Höhe

2.4mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more