Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D-PAK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
90 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
2.4mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s N-kanálem, přerušované
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D-PAK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
90 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
2.4mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s N-kanálem, přerušované
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.


